Proces formiranja silicija koji predstavlja osnovu današnje računalne tehnologije, do sada je zahtijevao ekstremne temperature veće od 1.093 stupnjeva celzija, što je naravno podrazumijevalo veliku količinu skupe energije koju je trebalo osigurati za taj proces.
Znanstvenici Sveučilišta u Michiganu razvili su tehnologiju koja uključuje tekući metal, te je u stanju gotovo u potpunosti ukloniti potrebu za visokim temperaturama i potrošnjom velike količine struje.
Oblaganjem elektrode od tekućeg galija silicijevim tetrakloridom. znanstvenici su u stanju generirati čiste kristale silicija pomoću elektrona galija na temperaturi od samo 82 stupnja celzija.
Mada su ovi kristali trenutno mali, znanstvenici navode kako je teoretski moguće proizvesti veće korištenjem novih metala i prilagođavanjem čitavog procesa.
Ukoliko se ova tehnologija pokaže efikasnom na velikoj skali, znanstvenici vjeruju kako ćekomercijalna primjena dovesti do lakše i jeftinije izrade procesora i sunčevih ćelija. Obzirom da silicij danas još uvijek predstavlja osnovu svake tehnologije, primjena njihovog otkrića mogla bi predstavljati jedno od najvećih industrijskih unaprjeđenja današnjice.