Toshiba je razvila posebnu verziju MRAM memorije niske potrošnje i visokih performansi, namijenjenju procesorima koji se ugrađuju u smartfone i tablete. MRAM bi u SoC-ovima trebao zamijeniti klasičnu priručnu memoriju temeljenu na SRAM ćelijama, a ovakvi SoC-ovi trebali bi zahvaljujući novoj tehnologiji trošiti do dvije trećine manje energije. Doduše, nije jasno da li se ušteda odnosi na kompletan SoC ili samo priručnu memoriju (cache).
Premda će MRAM u SoC-ovima biti kapaciteta tek nekoliko megabajta, Toshiba ima planove da ovu vrstu memorije pogura i kao zamjenu za klasičnu radnu memoriju kao i NANDflash memoriju.
MRAM koristi magnetnu pohranu podataka za pohranjivanje podataka, za razliku od trenutno klasičnih tehnologija koje za to koriste struju. Sukladno tome, MRAM je perzistentna memorija odnosno zadržava podatke čak i kada nije pod naponom. S druge strane, zbog načina rada najčešće troši više struje pri radu na višim brzinama.
U Toshibinom istraživanju koristila se tehnologija momenta spina, u kojoj se spin elektrona koristi za postavljanje orijentacije magnetnih bitova, smanjujući na taj način trošak potreban za prepisivanje podataka. Eksperimentalni čipovi izrađeni su naprednom tehnologijom s elementima manjim od 30 nm.
Toshibin glasnogovornik izjavio je da tvrtka trenutno nema rok u kojem ovu tehnologiju planira izbaciti na tržište.
Toshiba će svoja istraživanja vezana za tehnologije poluvodiča predstaviti idući tjedan u San Franciscu, u sklopu konferencije IEEE International Electron Devices Meeting.